![晶圓表面測(cè)量應(yīng)用開(kāi)發(fā)背景]( "晶圓表面測(cè)量應(yīng)用開(kāi)發(fā)背景")
說(shuō)明：
現(xiàn)代半導(dǎo)體制造的目標(biāo)是為便攜式產(chǎn)品開(kāi)發(fā)具有越來(lái)越小和更薄封裝的電子設(shè)備。實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)最重要的步驟之一是通過(guò)機(jī)械研磨工藝將加工后的硅晶片從背面減薄至 50μm 以下。為了避免應(yīng)力和亞表面損傷，這對(duì)表面粗糙度要求非常高，在最終研磨步驟中，該粗糙度可能在 1 nm Ra 的范圍內(nèi)。測(cè)量這一等級(jí)的表面粗糙度的常用方法是通過(guò)共聚焦顯微鏡 (CFM)、白光干涉儀 (WLI) 或原子力顯微鏡 (AFM) 進(jìn)行單點(diǎn)或是劃線測(cè)量。但這些儀器的缺點(diǎn)是對(duì)機(jī)械環(huán)境噪聲敏感，測(cè)量時(shí)間長(zhǎng)。這里，我們將介紹一種新型的散射光測(cè)量方法，該方法能夠在不到 30 秒的時(shí)間內(nèi)測(cè)量直徑300 mm整個(gè)晶圓表面。除了粗糙度，傳感器還同時(shí)測(cè)量翹曲、波紋度和缺陷。同時(shí)將展現(xiàn)采用不同粒度研磨表面的測(cè)試結(jié)果分析。 晶圓表面加工工藝過(guò)程極小和高密度電子產(chǎn)品的趨勢(shì)需要先進(jìn)的工藝來(lái)滿(mǎn)足設(shè)備的厚度和熱性能規(guī)格。這意味著處理后的硅晶片必須從其原始厚度超過(guò) 700 µm 減薄至 50 µm 或更小。最常見(jiàn)且成本相對(duì)較低的減薄方法是通過(guò)機(jī)械去除殘余硅的背面研磨。晶片固定在多孔真空吸盤(pán)上，IC（集成電路）面朝下。砂輪的旋轉(zhuǎn)軸與晶片的旋轉(zhuǎn)軸離軸定位（距離是晶片的半徑）?？ūP(pán)呈略呈圓錐形的形狀，以很小的傾斜度使晶片變形，以確保砂輪在研磨過(guò)程中僅接觸晶片的一半。由于卡盤(pán)的旋轉(zhuǎn)和砂輪的同時(shí)旋轉(zhuǎn)，在晶片表面上產(chǎn)生了典型的螺旋劃痕圖案。根據(jù)砂輪的粒度以及轉(zhuǎn)速和進(jìn)給率等加工參數(shù)，這種機(jī)械沖擊是造成粗糙度、應(yīng)力和誘發(fā)亞表面損傷的原因。因此，現(xiàn)代晶圓磨床從粗砂輪開(kāi)始，先是快速去除多余硅，最后使用小粒度砂輪進(jìn)行精細(xì)研磨。當(dāng)減薄至 50 µm 以最大程度地減少次表面損傷和應(yīng)力時(shí)，這個(gè)最終過(guò)程是絕對(duì)必要的。表面粗糙度通常應(yīng)在 Ra 當(dāng)前標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量方法的局限性是砂輪與其大量單刀刃的相互作用，與硅表面經(jīng)歷不均...
說(shuō)明：
工業(yè)機(jī)器人各軸系的水平偏差調(diào)整測(cè)量主題工業(yè)機(jī)器人的精準(zhǔn)程度直接依賴(lài)于每個(gè)軸系的調(diào)平情況測(cè)量任務(wù)工業(yè)機(jī)器人的各軸系的水平偏差調(diào)整測(cè)量不僅僅在生產(chǎn)線制造組裝結(jié)束時(shí)需要測(cè)試，在客戶(hù)現(xiàn)場(chǎng)安裝調(diào)整后同樣需要測(cè)試。根據(jù)測(cè)試結(jié)果，技術(shù)人員在客戶(hù)現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行調(diào)整并將誤差補(bǔ)償存儲(chǔ)到過(guò)程控制系統(tǒng)內(nèi)。解決方案將所有機(jī)械手的軸系放置到零位。配合訂制的2D雙自由度測(cè)量傳感器，可以采集該軸系在XY雙方向與工業(yè)機(jī)器人基座參考位上XY雙方向的角度偏差然后將此誤差補(bǔ)償存儲(chǔ)到過(guò)程控制系統(tǒng)內(nèi)。
說(shuō)明：
溫控真空室測(cè)試衛(wèi)星框架部件的水平目標(biāo)在溫控真空室內(nèi)測(cè)試衛(wèi)星系統(tǒng)，溫度從零下30度到零上60度且為真空狀態(tài)。這樣極端的測(cè)試條件是為了復(fù)現(xiàn)真正宇宙環(huán)境下衛(wèi)星的工作條件測(cè)量任務(wù)衛(wèi)星各個(gè)單獨(dú)零部件之間相互水平姿態(tài)調(diào)整定義衛(wèi)星洐架零點(diǎn)位置為水平參考零點(diǎn)水平參考零點(diǎn)要在 ±0.001 mm/m 以?xún)?nèi)解決方案為了各個(gè)不同系統(tǒng)之間的相互調(diào)平，雙zerotronic傳感器作為水平參考點(diǎn)（X/Y軸）傳感器安放在特制的安裝底座內(nèi)由于從衛(wèi)星到控制臺(tái)的數(shù)據(jù)傳輸距離較長(zhǎng)，客戶(hù)自行設(shè)計(jì)了傳輸電纜。衛(wèi)星的每個(gè)系統(tǒng)都通過(guò)溫控真空室外的控制臺(tái)進(jìn)行控制。wyler訂制了相應(yīng)的測(cè)量軟件用于顯示XY雙方向的測(cè)量數(shù)據(jù)這個(gè)訂制軟件是基于wylerDYNAM這個(gè)軟件開(kāi)發(fā)的）溫控真空室的總覽概貌WYLER Inclination sensor ZEROTRONIC
說(shuō)明：
長(zhǎng)期監(jiān)測(cè)暴露在外溫差變化較大的物體的水平 主題 雷達(dá)-安裝于露天荒野，日光直射，溫度驟變，如何保證雷達(dá)基座 水平的精度和可靠性，必須對(duì)雷達(dá)基座水平情況進(jìn)行長(zhǎng)期連續(xù)的 監(jiān)控 每個(gè)高精密度的設(shè)備都對(duì)溫度變化敏銳。 溫度驟變會(huì)影響精密測(cè)量摧毀阻斷測(cè)量過(guò)程 測(cè)量任務(wù) 精密連續(xù)監(jiān)控雷達(dá)基座的水平情況 長(zhǎng)期監(jiān)測(cè)暴露在外溫差變化較大的物體的水平 解決方案 控制溫度變化范圍 傳感器工作環(huán)境要在溫控系統(tǒng)下進(jìn)行 1)傳感器自身校準(zhǔn)在20°C 傳感器工作的環(huán)境溫度高于20度自動(dòng)啟動(dòng)降溫系統(tǒng)， 傳感器工作的環(huán)境溫度低于20度自動(dòng)啟動(dòng)升溫系統(tǒng) 2)傳感器出廠前經(jīng)過(guò)實(shí)驗(yàn)室特殊溫度校準(zhǔn) 以下兩種方式可以實(shí)現(xiàn) 如傳感器工作溫度恒定在50攝氏度那么傳感器出廠前 就接受50°C的溫度曲線標(biāo)定 傳感器安放環(huán)境具有以下功能，即環(huán)境接收到的溫度驟變 對(duì)傳感器產(chǎn)生的影響是緩慢的，均勻分散到整個(gè)傳感器 解決方案
說(shuō)明：
大壩的長(zhǎng)期監(jiān)測(cè)項(xiàng)目測(cè)量任務(wù)對(duì)于長(zhǎng)期監(jiān)測(cè)大壩的要求不斷增加的早期大壩壩體測(cè)試主要是進(jìn)行定期測(cè)量，但今天越來(lái)越多的大壩從設(shè)計(jì)開(kāi)始就要求進(jìn)行永久監(jiān)控測(cè)量目標(biāo)對(duì)大壩傾斜的變化進(jìn)行長(zhǎng)期監(jiān)測(cè)解決方案一個(gè)或多個(gè)ZeroMATIC傳感器安裝在水壩壩體上非常穩(wěn)固的部位。這些傳感器連接到一個(gè)數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)，用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和數(shù)據(jù)傳輸。數(shù)據(jù)可在客戶(hù)自定義時(shí)間間隔內(nèi)發(fā)回監(jiān)測(cè)站。根據(jù)客戶(hù)測(cè)量需求ZeroMATIC 2/1的測(cè)量頻率可以設(shè)置為每小時(shí)采集一次數(shù)據(jù)ZeroMATIC 2/2的測(cè)量頻率可以設(shè)置為1Hz進(jìn)行測(cè)量